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SUM90N10-8m2P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.5
0.7
I D = 20 A
0.2
2.0
V GS = 10 V
- 0.3
1.5
1.0
0.5
- 0. 8
- 1.3
- 1. 8
- 2.3
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 8 5 A
130
I D = 1 mA
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
8
6
4
2
0
V DS = 50 V
V DS = 30 V
V DS = 70 V
124
11 8
112
106
100
0
22
44
66
88
110
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
140
10
T J = 150 °C
112
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
8 4
56
2 8
0
Package Limited
0
0.2
0.4 0.6 0. 8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
4
T C - Case Temperat u re (°C)
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Document Number: 74643
S12-0335-Rev. B, 13-Feb-12
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